📇 Rhumatologue · MONTFERMEIL · (93) · Salarié
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2 raisons identifiées
Disponibilité géographique
5 lieux d'exercice — choisissez celui qui vous arrange
Délais de RDV courts dans la région
78.3 rhumatos / 100 000 hab. — département bien doté
✨ Génération du profil synthétique IA en cours…
Indicateurs publics agrégés sur 250 M+ d'œuvres scientifiques (OpenAlex, PubMed). Traduits ici en langage patient.
Influence scientifique
Données ANS publiques (Licence Ouverte 2.0) · Enrichissements MonRhumato 100 % opt-in · Toute personne référencée peut demander la suppression ou la rectification.
6
6 articles ont été cités au moins 6fois par d'autres chercheurs — preuve que ses travaux sont repris par la communauté médicale.
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Total citations reçues
141
Nombre de fois où d'autres équipes ont mentionné ses publications dans leurs propres travaux.
Publications totales
15
Articles, revues et chapitres référencés dans les bases académiques internationales.
Articles influents
5
Publications ayant marqué leur domaine — chacune citée au moins 10 fois par d'autres chercheurs.
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Thématiques principales
Source : OpenAlex (CC0, OurResearch). Indicateurs académiques agrégés sur 250 M+ d'œuvres.
Articles déposés en accès libre sur l'archive ouverte des universités françaises (HAL) — gage d'activité de recherche en France.
High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN
2021ArticleEnergies
Thermal Compression Bonding with Pre-Applied Underfill for Very Large Die
2020Congrès2020 IEEE 70th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
A Hydrogen Plasma Treatment for Soft and Selective Silicon Nitride Etching
2018ArticlePhysica Status Solidi A (applications and materials science)
Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double-Ended Gate Transistors
2017ArticlePhysica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics
Normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al<sub>0.45</sub> Ga<sub>0.55</sub>N barrier layer
2017ArticlePhysica Status Solidi A (applications and materials science)
Characterization and modeling of transient self-heating in GaN HEMTs
2017Congrès12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)
AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process
2017ArticleIEEE Electron Device Letters
Characterization of Dynamic Self-Heating in GaN HEMTs Using Gate Resistance Measurement
2017ArticleIEEE Electron Device Letters
Source : HAL — archive ouverte CCSD/CNRS (couvre articles, chapitres EMC, communications congrès, thèses).
CHI LE RAINCY MONTFERMEIL
10 R DU GENERAL LECLERC, 93370 MONTFERMEIL
CENTRE DE RADIOLOGIE EPINAY GARES
23 IMPASSE DU NOYER BOSSU, 93800 EPINAY SUR SEINE
CENTRE DE RADIOLOGIE EPINAY GARES
37 IMPASSE DU NOYER BOSSU, 93800 EPINAY SUR SEINE
Secteur de conventionnement non disponible (médecin hospitalier ou non présent dans l'Annuaire santé CNAM des libéraux conventionnés).
Lien Doctolib = recherche Google site:doctolib.fr (le 1er résultat est presque toujours le profil correct s'il existe).
Source PubMed · Recherche par auteur (homonymes possibles, vérifier l'affiliation).
European spine journal : official publication of the European Spine Society, the European Spinal Deformity Society, and the European Section of the Cervical Spine Research Society · 2025 · Journal Article
Feki W, Chakroun A, Kammoun A, Hammami F, et al.
La Tunisie medicale · 2025 · Journal Article
Ben Amar W, Grayaa M, Daoud F, Dhouib H, et al.
The Pan African medical journal · 2015 · Case Reports
Khammassi N, Chakroun A