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1 raison identifiée
Délais de RDV courts dans la région
151.5 rhumatos / 100 000 hab. — département bien doté
✨ Génération du profil synthétique IA en cours…
Indicateurs publics agrégés sur 250 M+ d'œuvres scientifiques (OpenAlex, PubMed). Traduits ici en langage patient.
Influence scientifique
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35
35 articles ont été cités au moins 35fois par d'autres chercheurs — preuve que ses travaux sont repris par la communauté médicale.
h-index
Total citations reçues
4 125
Nombre de fois où d'autres équipes ont mentionné ses publications dans leurs propres travaux.
Publications totales
223
Articles, revues et chapitres référencés dans les bases académiques internationales.
Articles influents
90
Publications ayant marqué leur domaine — chacune citée au moins 10 fois par d'autres chercheurs.
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Thématiques principales
Affiliations FR : Institut polytechnique de Grenoble · Centre National de la Recherche Scientifique · Institut Universitaire de France
Source : OpenAlex (CC0, OurResearch). Indicateurs académiques agrégés sur 250 M+ d'œuvres.
Articles déposés en accès libre sur l'archive ouverte des universités françaises (HAL) — gage d'activité de recherche en France.
Over 300 mA in a diamond JFET: interdigitated FET structure optimization
2026Congrès30th Hasselt Diamond Workshop SBDD XXX
Scaling current rating of diamond-based MOSFETs: Interdigitated lateral deep-depletion diamond field-effect transistor
2026Congrès30th Hasselt Diamond Workshop SBDD XXX
Raclet: the ramp above critical level endurance test to evaluate critical force in isometric task
2026ArticleEuropean Journal of Applied Physiology
Diamond-based non-volatile memory
2026ArticleCarbon
Comprehensive electrical analysis of interface states in Al 2 O 3 /OH-terminated (111) diamond MOSCap
2026ArticleDiamond and Related Materials
Source field plate addition on deep depletion diamond MOSFET to increase the breakdown up to 850 V
2025Congrès35th International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2025)
ZnO nanowire-based piezoelectric nanogenerators enhanced through compensatory Cu-doping or Sb-doping
2025Congrès22nd International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies (NN25)
AlGaN channel high electron mobility transistors on Si for power electronics
2025CongrèsSymposium de Génie Électrique SGE 2025
Source : HAL — archive ouverte CCSD/CNRS (couvre articles, chapitres EMC, communications congrès, thèses).
CHMS - SITE CHAMBERY MCO
PL LUCIEN BISET BP 31125, 73011 CHAMBERY CEDEX
Secteur de conventionnement non disponible (médecin hospitalier ou non présent dans l'Annuaire santé CNAM des libéraux conventionnés).
Lien Doctolib = recherche Google site:doctolib.fr (le 1er résultat est presque toujours le profil correct s'il existe).
Aucune publication PubMed identifiée pour ce praticien (recherche par nom — possibles homonymes filtrés).
Properties of Al2O3/Oxygen-terminated boron doped diamond metal-oxide-semiconductor capacitor
Non volatile photo-switch using a diamond pn junction
Ultrawide bandgap semiconductor technologies offer potentially revolutionary advances in the rapidly developing areas of quantum communication, short wavelength optics, smart energy conversion and biomedical interfaces.
Source : DataCite — DOIs pour datasets, logiciels, protocoles, registres patient. Hors articles (déjà couverts).